SiCMOSFET器件的柵氧化層的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111670227.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114256065A 公開（公告）日 2022-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN114256065A 申請(qǐng)公布日 2022-03-29
分類號(hào) H01L21/04（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪洋;張耀輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州龍馳半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張?jiān)婪?/td>
地址 215009 江蘇省蘇州市高新區(qū)火炬路52號(hào)46幢131室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NSiC MOSFET器件的柵氧化層的制作方法。該制作方法包括：提供SiC襯底以及第一氧化層，第一氧化層位于SiC襯底的表面上；采用高溫低壓化學(xué)氣相沉積法，在第一氧化層的遠(yuǎn)離SiC襯底的表面上形成第二氧化層；對(duì)第一氧化層以及第二氧化層進(jìn)行退火，退火后的第一氧化層以及第二氧化層形成柵氧化層。該方法中，由于有第一氧化層的存在，在生成第二氧化層時(shí)，沒有與碳化硅外延片反應(yīng)，沒有產(chǎn)生多余的副產(chǎn)物，使得柵氧化層SiC/SiO2界面質(zhì)量較好，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的SiC MOSFET的溝道遷移率較低的問題。