碳化硅器件的柵氧化層的制備方法與碳化硅器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111276192.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114023633A 公開（公告）日 2022-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114023633A 申請(qǐng)公布日 2022-02-08
分類號(hào) H01L21/04（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪洋;張耀輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州龍馳半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張?jiān)婪?/td>
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10-1F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N碳化硅器件的柵氧化層的制備方法。該制備方法包括：對(duì)碳化硅外延片進(jìn)行熱氧化處理，在碳化硅外延片上形成薄的第一二氧化硅層；在第一氧化層的遠(yuǎn)離碳化硅外延片的表面上沉積硅，形成硅膜；對(duì)硅膜進(jìn)行熱氧化處理，使硅膜氧化成第二二氧化硅層。在碳化硅外延片上通過熱氧化形成薄的第一二氧化硅層，由于第一二氧化硅層比較薄，其消耗的碳化硅較少，產(chǎn)生的副產(chǎn)物較少，然后在第一二氧化硅層上形成硅膜，對(duì)硅膜熱氧化形成第二二氧化硅層，由于有第一二氧化硅層的存在，對(duì)硅膜進(jìn)行熱氧化形成第二二氧化硅層時(shí)，沒有與碳化硅外延片反應(yīng)，使得柵氧化層SiC/SiO2界面質(zhì)量較好，進(jìn)而提高了碳化硅器件的溝道遷移率。