碳化硅晶圓襯底的回收利用方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910957396.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112652567A 公開（公告）日 2021-04-13
申請公布號 CN112652567A 申請公布日 2021-04-13
分類號 H01L21/683 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭虎 申請（專利權(quán)）人 蘇州龍馳半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路388號B0604室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅晶圓襯底的回收利用方法。所述回收利用方法包括：提供物體，所述物體包括碳化硅襯底；選擇位于所述碳化硅襯底內(nèi)預設(shè)深度處的一個面作為分離界面，所述分離界面將所述碳化硅襯底于厚度方向上劃分為第一部分和第二部分；以激光照射所述碳化硅襯底，并使所述激光聚焦于所述分離界面上，從而使所述分離界面處的碳化硅分解，進而使所述碳化硅襯底的第一部分與第二部分彼此分離。本發(fā)明實施例提供的方法通過采用激光照射的方式對碳化硅晶圓襯底進行切割，進而實現(xiàn)對碳化硅晶圓襯底的回收，能大幅降低碳化硅基芯片制作的成本。