半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210165013.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114551600A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551600A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李榮偉 申請（專利權(quán)）人 蘇州龍馳半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 215009江蘇省蘇州市高新區(qū)火炬路52號46幢131室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件，該制作方法包括：提供基底，基底包括SiC層、位于SiC層表面上的P型外延層以及位于P型外延層上間隔設(shè)置的兩個N+區(qū)；在兩個N+區(qū)之間的P型外延層的裸露表面上形成預(yù)定金屬氧化物層；在預(yù)定金屬氧化物層的裸露表面上形成SiO2層；在SiO2層的裸露表面上，沉積多晶硅并圖案化，形成多晶硅柵極。該方法通過在基底和SiO2層之間沉積預(yù)定金屬氧化物層，實現(xiàn)了SiC與SiO2的分離，從而避免了在傳統(tǒng)熱氧化形成SiO2的過程中產(chǎn)生SiO2層陷阱及SiO2/SiC界面陷阱，實現(xiàn)器件溝道遷移率的提高，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的溝道遷移率低的問題。