一種超寬帶吸收器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110572266.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113219568A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113219568A 申請公布日 2021-08-06
分類號 G02B5/00（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I;H01Q17/00（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 周云;陸平英;孟德宇;陳華鋒;張恒;武榮風;詹智誠 申請（專利權(quán)）人 京東方光科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 韓來兵;劉蔓莉
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及制備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，公開了一種超寬帶吸收器及制備方法，該超寬帶吸收器包括基底，基底上設(shè)置有第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層背離基底的一側(cè)形成凸起結(jié)構(gòu)陣列，凸起結(jié)構(gòu)陣列背離所述基底的一側(cè)依次設(shè)置有第一金屬層、第二介質(zhì)層和第二金屬層。本發(fā)明實現(xiàn)可見光至紅外波段超寬帶的雙向廣角高效吸收，在400nm?4000nm波段范圍內(nèi)，電磁波吸收結(jié)構(gòu)上表面平均吸收效率大于92％，下表面平均吸收接近85％；角度寬容性大，在入射角為60°時，仍能保持良好的雙向吸收性能，上表面平均吸收大于92％，下表面平均吸收大于80％。該裝置結(jié)構(gòu)簡單，便于大規(guī)模、批量化生產(chǎn)，且易與光電子器件集成，在顯示、太陽能電池、熱光伏等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。