一種5G通信關(guān)鍵射頻芯片材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910687275.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110289210A 公開（公告）日 2019-09-27
申請公布號 CN110289210A 申請公布日 2019-09-27
分類號 H01L21/02（2006.01）I; C09G1/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 北京信唐智創(chuàng)電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京盛凡智榮知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 濟南鴻泰華豐機械有限公司;北京大唐智創(chuàng)科技有限公司
地址 250000 山東省濟南市濟陽縣太平街道濟太路機械設(shè)備產(chǎn)業(yè)園創(chuàng)業(yè)路4-2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種5G通信關(guān)鍵射頻芯片材料的制備方法，包括如下步驟：將氮化鎵晶片經(jīng)過初步的切割、磨削、研磨處理后，進行精拋光處理，精拋光后對氮化鎵晶片表面進行清洗劑洗滌，然后干燥，即得射頻芯片材料。本發(fā)明制備得到的射頻芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子臺階形貌，且無劃痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車等應(yīng)用領(lǐng)域有望得到廣泛應(yīng)用。