一種5G通信關(guān)鍵射頻芯片材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910687275.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110289210B 公開（公告）日 2020-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN110289210B 申請(qǐng)公布日 2020-08-07
分類號(hào) H01L21/02;C09G1/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京信唐智創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州天河萬研知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 濟(jì)南鴻泰華豐機(jī)械有限公司;北京大唐智創(chuàng)科技有限公司
地址 100089 北京市海淀區(qū)北清路164號(hào)17-27號(hào)院032號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種5G通信關(guān)鍵射頻芯片材料的制備方法，包括如下步驟：將氮化鎵晶片經(jīng)過初步的切割、磨削、研磨處理后，進(jìn)行精拋光處理，精拋光后對(duì)氮化鎵晶片表面進(jìn)行清洗劑洗滌，然后干燥，即得射頻芯片材料。本發(fā)明制備得到的射頻芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子臺(tái)階形貌，且無劃痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車等應(yīng)用領(lǐng)域有望得到廣泛應(yīng)用。