具有鈍化接觸層并疊加復合鈍化層的鑄造單晶硅鈍化結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111435868.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114203832A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203832A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈文忠;李正平;王聞捷;裴駿 申請（專利權(quán)）人 江蘇林洋光伏科技有限公司
代理機構(gòu) 上海交達專利事務(wù)所 代理人 王毓理;王錫麟
地址 200240上海市閔行區(qū)東川路800號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有鈍化接觸層并疊加復合鈍化層的鑄造單晶硅鈍化結(jié)構(gòu)，以n型鑄造單晶硅為基底，在基底兩側(cè)對稱地由內(nèi)到外依次生長有超薄氧化硅層（SiOx）、磷摻雜多晶硅層（poly?Si（n））、氧化鋁層（AlOx）和氫化氮化硅層（SiNx:H）。本發(fā)明采用性能優(yōu)異的鈍化層，有效鈍化鑄造單晶硅的表面缺陷，能夠降低載流子復合損失，有利于制造高轉(zhuǎn)換效率的鑄造單晶硅太陽電池。