控制加熱溫場提純制備多晶硅的裝置及工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811378303.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109252216B 公開（公告）日 2020-03-20
申請公布號 CN109252216B 申請公布日 2020-03-20
分類號 C30B29/06;C30B28/06;C01B33/037 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 羊?qū)?庹開正 申請（專利權(quán)）人 成都斯力康科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都斯力康科技股份有限公司
地址 610000 四川省成都市天府新區(qū)興隆街道場鎮(zhèn)社區(qū)正街57號1幢1單元2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了控制加熱溫場提純制備多晶硅的裝置，爐體內(nèi)設(shè)有隔熱板、冷卻盤、坩堝、加熱感應(yīng)圈和保溫筒，保溫筒內(nèi)設(shè)有上段石墨發(fā)熱環(huán)、中段石墨發(fā)熱環(huán)和下段石墨發(fā)熱環(huán)，上段石墨發(fā)熱環(huán)和中段石墨發(fā)熱環(huán)之間、以及中段石墨發(fā)熱環(huán)和下段石墨發(fā)熱環(huán)之間均設(shè)有連接環(huán)，連接環(huán)采用導(dǎo)熱系數(shù)為10～50W/m·k的耐高溫材料制成。提純工藝為：向冷卻盤內(nèi)通入冷卻氣體；向爐體內(nèi)通入惰性氣體，同時(shí)通過設(shè)于爐體頂部的排氣管排出，保障爐體內(nèi)存在一定氣壓；控制上段石墨發(fā)熱環(huán)、中段石墨發(fā)熱環(huán)及下段石墨發(fā)熱環(huán)按一定程序降溫。本發(fā)明利于形成均勻的溫度梯度，利于晶體生長，可有效防止出現(xiàn)階梯式熱場從上到下為階梯性突變。