金屬硅精煉深度除雜方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810795800.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108914203B 公開(kāi)（公告）日 2020-02-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN108914203B 申請(qǐng)公布日 2020-02-07
分類號(hào) C30B28/06;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 羊?qū)?周旭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都斯力康科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 成都斯力康科技股份有限公司
地址 610000 四川省成都市天府新區(qū)興隆街道場(chǎng)鎮(zhèn)社區(qū)正街57號(hào)1幢1單元2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了金屬硅精煉深度除雜方法，解決了現(xiàn)有的金屬硅在精煉過(guò)程中存在雜質(zhì)擴(kuò)散不充分而去除不干凈的問(wèn)題。本發(fā)明包括如下步驟：將金屬硅置于石英坩堝中，并采用真空熔煉爐進(jìn)行加熱并抽真空；注入保護(hù)性氣體；熔煉溫度上升到1450℃?1750℃時(shí)，石英坩堝底部通氯氣，保溫1?4小時(shí)；下降石英坩堝，使得石英坩堝中的高純硅熔融液從下向上逐漸定向凝固提純得到高純硅錠；待石英坩堝冷卻，取出石英坩堝，并將高純硅錠的頂部和與石英坩堝粘黏的部分切除；所述石英坩堝包括坩堝本體和設(shè)置在坩堝本體內(nèi)側(cè)壁上的凹凸部。本發(fā)明具有金屬硅中雜質(zhì)擴(kuò)散去除充分，提純效果好等優(yōu)點(diǎn)。