一種LED外延結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011042155.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112151647B | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112151647B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/26（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王杰;馮磊;徐平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙七源專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張勇;周曉艷 |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金屬產(chǎn)業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底以及依次層疊設(shè)置在襯底上的第一半導(dǎo)體層、超晶格層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層；超晶格層包括至少一個(gè)超晶格單體，超晶格單體為依次層疊設(shè)置的SiInN層和SiInGaN層或者是依次層疊設(shè)置的AlInGaN層、SiInN層和SiInGaN層；應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，效果是：通過(guò)設(shè)置超晶格層能有效釋放第一半導(dǎo)體層的應(yīng)力，同時(shí)提高電子和空穴的復(fù)合效率；本發(fā)明還公開了一種LED外延生長(zhǎng)方法，包括依次在襯底上生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層、超晶格層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；超晶格層包括至少一個(gè)超晶格單體，超晶格單體能限制從第一半導(dǎo)體內(nèi)注入的電子，同時(shí)能夠讓電子在LED傳送通道上分散開來(lái)，便于向發(fā)光層提供源源不斷的電子。 |
