氮化鎵發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111543401.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114141915A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114141915A 申請公布日 2022-03-04
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/22（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐平;許孔祥;馮磊;黃勝藍 申請（專利權(quán)）人 湘能華磊光電股份有限公司
代理機構(gòu) 長沙七源專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張勇;劉伊旸
地址 423038湖南省郴州市白露塘有色金屬產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵發(fā)光二極管的制備方法，涉及半導體領(lǐng)域，制備方法包括：提供藍寶石襯底；對藍寶石襯底進行常規(guī)清洗處理后在其上面沉積SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制作圓形圖案的光刻膠膜層；去除多余的SiO2膜層，在藍寶石表面形成光刻膠和SiO2薄膜雙掩膜結(jié)構(gòu)的多個凹型坑；將表面形成有多個凹型坑的藍寶石襯底進行干法刻蝕，并去除SiO2膜層，在藍寶石襯底的表面形成多個V形孔；蒸鍍Al單質(zhì)薄膜，使Al膜完全填充V形孔；進行退火處理，使鋁膜球聚形成鋁球；生長氮化鎵外延層，獲得完全結(jié)構(gòu)的外延片。上述制備方法能夠提高GaN薄膜的晶體質(zhì)量，降低位錯密度，有效提高LED芯片的發(fā)光效率及發(fā)光強度。