發(fā)光二極管制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111435249.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114122206A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122206A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐平;許孔祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙七源專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張勇;劉伊?xí)D |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金屬產(chǎn)業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光二極管制作方法，依次包括：處理襯底、生長(zhǎng)低溫GaN緩沖層、生長(zhǎng)非摻雜GaN層、生長(zhǎng)摻雜Si的n型GaN層、生長(zhǎng)多量子阱層、生長(zhǎng)u?GaN/InmAl1?m?nGanN/p?GaN超晶格層、生長(zhǎng)AlGaN電子阻擋層、生長(zhǎng)摻雜Mg的P型GaN層，降溫冷卻，其中生長(zhǎng)u?GaN/InmAl1?m?nGanN/p?GaN超晶格層依次包括生長(zhǎng)u?GaN層、生長(zhǎng)InmAl1?m?nGanN阱層以及生長(zhǎng)p?GaN層的步驟。本發(fā)明通過(guò)采用新的發(fā)光二極管制作方法來(lái)減少芯片的翹曲度，提升外延片的波長(zhǎng)和亮度的分布均勻性，從而提升氮化鎵發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。 |
