一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片及晶圓

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010116420.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111193491A 公開（公告）日 2020-05-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN111193491A 申請(qǐng)公布日 2020-05-22
分類號(hào) H03H9/19;H03H1/00 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李宗杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東莞信律師事務(wù)所 代理人 鐘宇宏
地址 523000 廣東省東莞市黃江鎮(zhèn)黃江東環(huán)路68號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片及晶圓，該晶圓包括陣列排布的石英壓電晶片，所述石英壓電晶片具有一基底，所述基底一端的上表面與下表面對(duì)稱設(shè)置有凹槽，所述凹槽中部設(shè)置有凸臺(tái)，所述凸臺(tái)的高度小于凹槽的深度。該石英壓電晶片具有凹槽式雙凸臺(tái)晶體結(jié)構(gòu)，凸臺(tái)與基底邊緣之間的凹槽區(qū)域形成晶片第一能陷區(qū)；凸臺(tái)為晶片的主振蕩區(qū)，且凸臺(tái)的高度小于凹槽的深度，形成晶片的第二能陷區(qū)；所以，該石英壓電晶片的凹槽式雙凸臺(tái)結(jié)構(gòu)在晶片上形成了雙重能陷效果，大幅度增加了晶片的能量閉鎖效益，從而降低了整個(gè)晶片的阻抗，最終使得整個(gè)晶振具有非常好的低頻物理特性。