半導(dǎo)體器件蒸鍍?nèi)毕莸臋z測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111131340.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113871316A 公開（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113871316A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;藍(lán)浩濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江里陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺(tái)州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件蒸鍍?nèi)毕莸臋z測(cè)方法，包括對(duì)蒸鍍完成的待測(cè)芯片進(jìn)行加溫，使所述待測(cè)芯片的導(dǎo)通阻抗增大，獲取所述待測(cè)芯片的測(cè)量導(dǎo)通阻抗數(shù)據(jù)，根據(jù)所述測(cè)量導(dǎo)通阻抗數(shù)據(jù)判斷所述待測(cè)芯片中是否存在蒸鍍?nèi)毕荨Ｓ捎谕ㄟ^使待測(cè)芯片升溫，使得所述待測(cè)芯片內(nèi)部的水氣會(huì)在高溫下呈現(xiàn)熱脹冷縮，并且由于瞬間高電流的原因，污染、油漬等會(huì)出現(xiàn)碳化，從而使得待測(cè)芯片中接觸不良的情形能夠提前顯現(xiàn)出來，增加了導(dǎo)通電阻的明顯度，這樣使得在電測(cè)時(shí)能夠檢測(cè)出電阻偏高的芯片，即這樣才能夠測(cè)量出來待測(cè)芯片的測(cè)量導(dǎo)通阻抗數(shù)據(jù)，通過獲取待測(cè)芯片的測(cè)量導(dǎo)通阻抗數(shù)據(jù)，從而能夠確認(rèn)晶圓上蒸鍍的金屬是否接觸良好。