半導體器件結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120951524.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214588826U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214588826U 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/28（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;招景豐 申請（專利權）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件結構，包括第一導熱電極層以及依次在所述第一導熱電極層上設置的第一應力過渡層、二極管芯片、第二應力過渡層、第二導熱層以及第二電極。由于沒有將二極管芯片表面直接與第一導熱電極層或者第二導熱層直接連接，而是通過第一應力過渡層和第二應力過渡層連接，使得在高溫時使得第一導熱電極層或者第二導熱層所出現(xiàn)的內應力不直接作用在二極管芯片上，而是作用在第一應力過渡層或第二應力過渡層上，這樣一方面使得在制造二極管器件的燒結過程中不至于造成芯片碎裂，提高了器件制造的一致性，另一方面也可以避免在使用過程中器件的發(fā)熱所導致?lián)p壞芯片的情況，提高使用過程中器件的可靠性和穩(wěn)定性。