半導體元件的劃片方法及劃片裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111117128.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113838750A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113838750A 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01L21/304（2006.01）I;B23K26/364（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;張潘德;楊小輝 申請（專利權(quán)）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構(gòu) 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體元件的劃片方法及劃片裝置，其中的劃片方式是對晶圓的第一面和第二面分別采用第一切割工藝和第二切割工藝，相當于第一切割工藝和第二切割工藝都是對晶圓進行半透切割，共同配合，使得第一切割工藝和第二切割工藝從兩面所產(chǎn)生的切痕在晶圓劃片道的內(nèi)部產(chǎn)生交匯，避免晶圓劃片中玻璃鈍化層上的崩邊問題。即使工藝中因為現(xiàn)實的切割誤差導致產(chǎn)生一些崩碎，崩碎也不會產(chǎn)生在玻璃鈍化層上，不會影響表面的玻璃鈍化層，保障了芯片電學性能的穩(wěn)定。