半導體器件封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120951448.7 申請日 -
公開（公告）號 CN214588825U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214588825U 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/28（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;招景豐 申請（專利權(quán)）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構(gòu) 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括二極管芯片外側(cè)依次具有應力緩沖層、散熱層和金屬電極，焊接面和散熱層之間設置有應力緩沖層，由于沒有將二極管芯片表面直接與散熱層連接，而是通過應力緩沖層連接，使得在燒結(jié)或者發(fā)熱使得散熱層所出現(xiàn)的內(nèi)應力不直接作用在二極管芯片上，而是作用在應力緩沖層上，這樣一方面使得在制造二極管器件的燒結(jié)過程中不至于造成芯片碎裂，提高了器件制造的一致性，另一方面避免在使用過程中器件的發(fā)熱散熱導致?lián)p壞芯片的情況，提高使用過程中器件的可靠性和穩(wěn)定性。