半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202022573210.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN213026135U | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請公布號 | CN213026135U | 申請公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李曉鋒;黃富強 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江里陽半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件，其結(jié)構(gòu)包括第一摻雜類型的襯底、穿通區(qū)、第一注入?yún)^(qū)以及第二注入?yún)^(qū)，穿通區(qū)、第一注入?yún)^(qū)以及第二注入?yún)^(qū)為第二摻雜類型，穿通區(qū)上定義有溝槽區(qū)，溝槽區(qū)將襯底劃分為多個芯片區(qū)；第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)均與穿通區(qū)相連通。第一注入?yún)^(qū)與襯底形成PN結(jié)，第二注入?yún)^(qū)與襯底也形成PN結(jié)，又由于第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)通過穿通區(qū)連通，因此，可以在襯底中形成PN結(jié)的各種器件，該器件可以根據(jù)電路設(shè)計的需要，選擇在不同位置引出電極，從而加工成為不同功能的器件，具有很強的應(yīng)用靈活性，由于前序工藝固定，不必要再多設(shè)計掩膜版或其他刻蝕步驟，因此，可以提高生產(chǎn)效率，也可以降低制造成本。?? |
