半導體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110490712.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113299616A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299616A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L23/373;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/861;H01L23/48;H01L23/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;招景豐 申請（專利權）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600 浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件的制造方法，包括提供由硅材料制成的第一應力緩沖層和第二應力緩沖層以及提供第一導熱金屬層、二極管芯片、第二導熱金屬層，并將第一導熱金屬層作為底部電極，在第一導熱層上依次設置第一應力緩沖層、二極管芯片、第二應力緩沖層以及第二導熱金屬層，形成初級工件，并將所形成的初級工件進行燒結(jié)，最終形成半導體器件，由于在第一導熱金屬層與二極管芯片之間、第二導熱金屬層和二極管芯片之間設置的硅材料制成的第一應力緩沖層和第二應力緩沖層，由于通過應力緩沖層連接散熱金屬層，并結(jié)合了燒結(jié)的方式制成半導體器件，使器件更加穩(wěn)定同時在燒結(jié)過程中散熱金屬層的應力作用在應力緩沖層上，提高了器件制造的良率和一致性。