可控硅芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022433222.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212907748U | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212907748U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號(hào) | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李曉鋒;黃富強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江里陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種可控硅芯片，包括基區(qū)、第一注入?yún)^(qū)、第二注入?yún)^(qū)、第三注入?yún)^(qū)、所述第一注入?yún)^(qū)表面上的陽(yáng)極電極A、第二注入?yún)^(qū)部分表面上的門極電極G以及第三注入?yún)^(qū)表面上的陰極電極K，其中，所述門極電極G與所述陰極電極K朝向相同，高度低于所述陰極電極K，且所述門極電極G上具有凹槽。由于凹槽的存在，保障了整體的門極電極G不會(huì)高于陰極電極K，使得門極電極G不會(huì)被輕易的磕碰損壞，當(dāng)焊接引線之后，門極電極G上的引線也不容易被碰掉，更加牢固。并且凹槽為該可控硅芯片焊接時(shí)提供了一個(gè)引線定位槽，提高了可控硅芯片門極電極外部引線焊接的高效性和穩(wěn)定性。?? |
