銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測(cè)器及制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811260058.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109449223B | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-11-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109449223B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-29 |
分類(lèi)號(hào) | H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18;H01S5/343 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 蘆鵬飛;張凡;梁丹;王庶民;張麗 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 超晶科技(北京)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京萬(wàn)思博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 超晶科技(北京)有限公司 |
地址 | 100083 北京市海淀區(qū)王莊路1號(hào)B座八(七)層C1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測(cè)器及制備方法,涉及半導(dǎo)體材料。銦鎵氮鉍材料包括襯底層、緩沖層和銦鎵氮鉍材料。銦鎵氮鉍材料是將銦原子和鉍原子同時(shí)摻入GaN合金中形成的,能夠調(diào)節(jié)母體晶格常數(shù)以及電子性質(zhì),從而提高其發(fā)光效率。本申請(qǐng)通過(guò)調(diào)節(jié)摻入的銦原子和鉍原子的濃度,有效調(diào)節(jié)GaN材料的禁帶寬度,實(shí)現(xiàn)從可見(jiàn)光到近紅外波段的覆蓋,以應(yīng)用于光電子器件。采用銦原子及鉍原子的共摻雜可使材料更易生長(zhǎng)并更加穩(wěn)定。本申請(qǐng)可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等多種方法進(jìn)行生長(zhǎng),結(jié)構(gòu)和操作工藝簡(jiǎn)單,易于控制。 |
