銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811260058.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109449223A 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN109449223A 申請公布日 2019-03-08
分類號 H01L31/0304（2006.01）I; H01L31/109（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I; H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘆鵬飛; 張凡; 梁丹; 王庶民; 張麗 申請（專利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京萬思博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)王莊路1號B座八(七)層C1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測器及制備方法，涉及半導(dǎo)體材料。銦鎵氮鉍材料包括襯底層、緩沖層和銦鎵氮鉍材料。銦鎵氮鉍材料是將銦原子和鉍原子同時摻入GaN合金中形成的，能夠調(diào)節(jié)母體晶格常數(shù)以及電子性質(zhì)，從而提高其發(fā)光效率。本申請通過調(diào)節(jié)摻入的銦原子和鉍原子的濃度，有效調(diào)節(jié)GaN材料的禁帶寬度，實現(xiàn)從可見光到近紅外波段的覆蓋，以應(yīng)用于光電子器件。采用銦原子及鉍原子的共摻雜可使材料更易生長并更加穩(wěn)定。本申請可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機物化學(xué)氣相沉積等多種方法進行生長，結(jié)構(gòu)和操作工藝簡單，易于控制。