一種基于光刻工藝實現陣列圖案的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010255053.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111463106A 公開（公告）日 2020-07-28
申請公布號 CN111463106A 申請公布日 2020-07-28
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 張凡;張妮偉;黃望林;向運來;李耀耀;蘆鵬飛 申請（專利權）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構 北京萬思博知識產權代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083北京市海淀區(qū)王莊路1號B座八(七)層C1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種基于光刻工藝實現陣列圖案的方法，涉及圖案設計及圖案制備領域。本申請根據所需制備圖案特征，首先選擇與新圖案尺寸相匹配的光刻掩膜版；然后采用光刻工藝在垂直性好的光刻膠上進行初始圖案化，在襯底上形成一層具有功能化陣列鏤空圖案的光刻膠；進一步選擇非垂直鍍膜的工藝方法，在上一步初始圖案上進行目標材料一層或多層的沉積；最后選擇去膠液或丙酮剝離得到目標設計的圖案陣列。通過上述工藝，本申請能夠減少光刻圖案對掩膜版的依附性和降低光刻工藝成本，同時還可以實現復雜圖案，且提高良率。本申請還可應用于光電半導體領域，解決相關技術中無法形成像素電極圖案的問題，而且可應用于半導體器件中制造精細圖案的工藝。??