一種碲鎘汞紅外探測器件材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710509115.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107910404B 公開（公告）日 2020-03-17
申請公布號 CN107910404B 申請公布日 2020-03-17
分類號 H01L31/18;H01L31/09 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王庶民;潘文武 申請（專利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京方安思達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號方興大廈906室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碲鎘汞紅外探測器件材料的制備方法，包括：1)提供半導(dǎo)體供體襯底，在半導(dǎo)體供體襯底上外延生長緩沖層，2)生長犧牲層，并在所述犧牲層上形成外延薄層；3)重復(fù)步驟2)至形成多個上述犧牲層與外延薄層；4)將受體襯底和最外一層的外延薄層進行鍵合，并使用離子注入在最上一層的犧牲層內(nèi)形成缺陷層，并將鍵合結(jié)構(gòu)剝離得到含有受體襯底的柔性基底，剝離鍵合結(jié)構(gòu)后殘留的部分為第一基底；5)去除第一基底表面的犧牲層，并對去除犧牲層后的第一基底重復(fù)采用步驟4)的方法逐層剝離外延薄層，得到多個含有外延薄層和受體基底的柔性基底和殘余有犧牲層的供體襯底。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)制備碲鎘汞紅外探測器件材料時存在的缺陷。