實(shí)現(xiàn)低溫鍍膜的熱蒸發(fā)設(shè)備及低熔點(diǎn)的薄膜材料

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010236693.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111424238A 公開(kāi)（公告）日 2020-07-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111424238A 申請(qǐng)公布日 2020-07-17
分類號(hào) C23C14/24;C23C14/14;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/54 分類 -
發(fā)明人 張妮偉;張凡;王庶民;李嘉;張焱超;蘆鵬飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)思博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)王莊路1號(hào)B座八(七)層C1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種實(shí)現(xiàn)低溫鍍膜的熱蒸發(fā)設(shè)備及低熔點(diǎn)的薄膜材料，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。本申請(qǐng)采用熱蒸發(fā)方式鍍膜，提供低溫生長(zhǎng)環(huán)境的設(shè)備，包括生長(zhǎng)腔室、載片腔室和源爐腔室，且每個(gè)腔室相互獨(dú)立保證每次鍍膜時(shí)生長(zhǎng)腔室內(nèi)真空環(huán)境的穩(wěn)定性。載片腔室中載片裝置外接馬達(dá)，實(shí)現(xiàn)載片裝置上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)，同時(shí)在待鍍基片裝置周圍安置制冷裝置，通過(guò)氣體制冷或冷卻液制冷方式對(duì)鍍膜襯底維持一個(gè)穩(wěn)定且較低的溫度。故本申請(qǐng)針對(duì)具有較低熔點(diǎn)的鍍膜材料，有效降低熱蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中因襯底溫度原因?qū)е碌膫?cè)向生長(zhǎng)，間接提高薄膜致密性和均勻性，具有整個(gè)生長(zhǎng)鍍膜工藝簡(jiǎn)單和制備成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。