一種半導(dǎo)體激光器材料的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710509143.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN107910750B | 公開（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107910750B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類號(hào) | H01S5/343(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王庶民;王暢 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 陳琳琳;李彪 |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)方興大廈906室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器材料的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體供體襯底，并在該供體基底上外延生長緩沖層，在所述緩沖層上生長犧牲層，在所述犧牲層上生長半導(dǎo)體薄膜層；在半導(dǎo)體薄膜層側(cè)進(jìn)行離子注入，在所述犧牲層內(nèi)形成缺陷層；提供柔性襯底，并使所述半導(dǎo)體薄膜層和柔性襯底鍵合；對(duì)缺陷層進(jìn)行退火處理，將頂層薄膜沿犧牲層從供體襯底上剝離，得到含有供體襯底的第一基底和含有柔性襯底的第二基底，并去除第二基底上的犧牲層，得到鍵合有半導(dǎo)體薄膜層的柔性基底。本發(fā)明的方法為供體襯底可重復(fù)利用，省去減薄工藝的半導(dǎo)體激光器材料制備方法。?? |
