一種量子阱紅外探測(cè)器件材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710507526.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107910403B 公開(kāi)（公告）日 2019-09-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN107910403B 申請(qǐng)公布日 2019-09-06
分類(lèi)號(hào) H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0352（2006.01）N 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王庶民; 王利娟 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)方興大廈906室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種量子阱紅外探測(cè)器件材料的制備方法，包括提供半導(dǎo)體供體襯底，在半導(dǎo)體供體襯底上外延生長(zhǎng)緩沖層，之后在緩沖層上生長(zhǎng)犧牲層，之后在犧牲層上生長(zhǎng)半導(dǎo)體薄膜層；以半導(dǎo)體薄膜層為注入面，對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行離子注入，在犧牲層內(nèi)形成缺陷層，之后將半導(dǎo)體薄膜層與受體襯底正面鍵合并對(duì)鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理，之后將半導(dǎo)體薄膜層沿缺陷層從供體襯底剝離，得到含有供體襯底的第一基底和含有受體基底的第二基底，后在去除犧牲層的第二基底上生長(zhǎng)量子阱紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用含鋁化合物作為犧牲層，利用層裂之后含鋁化合物易氧化的特點(diǎn)，將處理犧牲層的工序簡(jiǎn)化，并且使得到的受體襯底材料和半導(dǎo)體供體襯底材料表面潔凈。