一種量子阱紅外探測器件材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710507526.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107910403B 公開（公告）日 2019-09-06
申請公布號 CN107910403B 申請公布日 2019-09-06
分類號 H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0352（2006.01）N 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王庶民; 王利娟 申請（專利權(quán)）人 超晶科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京方安思達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 超晶科技（北京）有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學院路30號方興大廈906室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種量子阱紅外探測器件材料的制備方法，包括提供半導體供體襯底，在半導體供體襯底上外延生長緩沖層，之后在緩沖層上生長犧牲層，之后在犧牲層上生長半導體薄膜層；以半導體薄膜層為注入面，對半導體晶片進行離子注入，在犧牲層內(nèi)形成缺陷層，之后將半導體薄膜層與受體襯底正面鍵合并對鍵合結(jié)構(gòu)進行退火處理，之后將半導體薄膜層沿缺陷層從供體襯底剝離，得到含有供體襯底的第一基底和含有受體基底的第二基底，后在去除犧牲層的第二基底上生長量子阱紅外探測器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用含鋁化合物作為犧牲層，利用層裂之后含鋁化合物易氧化的特點，將處理犧牲層的工序簡化，并且使得到的受體襯底材料和半導體供體襯底材料表面潔凈。