導(dǎo)電薄膜方塊電阻多探針測量方法及測量頭

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910821249.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110426558A 公開（公告）日 2019-11-08
申請公布號 CN110426558A 申請公布日 2019-11-08
分類號 G01R27/02（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉相華 申請（專利權(quán)）人 麥嶠里（上海）半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 上海驍象知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 麥嶠里（上海）半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)盛夏路608號2幢506室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種導(dǎo)電薄膜方塊電阻多探針測量方法及測量頭，涉及薄膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是提升邊緣測量能力的技術(shù)問題。該方法在目標(biāo)樣品上設(shè)定5個測量點，其中的4個點按傳統(tǒng)四探針法排列成一個直線段P14，P5設(shè)置在直線段P14的中垂線上，并位于直線段P14的內(nèi)側(cè)；然后在P1、P4處導(dǎo)入測量電流I的情況下，測量P2、P5之間的電勢差U25A及P2、P3之間的電勢差U23；在P1、P3處導(dǎo)入測量電流的情況下，測量P2、P5之間的電勢差U25B；再將U|25A/U|25B作為r的值推導(dǎo)出r?Cf函數(shù)曲線；再根據(jù)r?Cf函數(shù)曲線求得校正因子Cf的值，并根據(jù)校正因子Cf的值計算目標(biāo)樣品的方塊電阻。本發(fā)明提供的方法及測量頭，用于導(dǎo)電薄膜的測量。