一種混合架構(gòu)存儲器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911061941.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111092082A 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN111092082A 申請公布日 2020-05-01
分類號 H01L27/108;H01L27/11551;H01L27/11578 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 景蔚亮;張格毅;陳邦明 申請（專利權(quán)）人 上海新儲集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 上海新儲集成電路有限公司
地址 201500 上海市金山區(qū)亭衛(wèi)公路6505號2幢8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種混合架構(gòu)存儲器的電容及制作方法，涉及集成電路中半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，包括襯底、邏輯電路層、晶體管層及存儲層，所述邏輯電路層堆疊于所述襯底上方，所述晶體管層堆疊于所述邏輯電路層上方，所述存儲層堆疊于所述晶體管層的上方；所述存儲層包括三維存儲陣列和電容陣列，所述電容陣列包含多個電容串，所述三維存儲層包含多個存儲串，所述三維存儲陣列與所述電容陣列按照水平結(jié)構(gòu)排列，且所述電容串與所述存儲串具有相同的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果是：幫助減少電壓變化，同時可有效提高存儲系統(tǒng)的讀寫性能和使用壽命。