一種1D1R超導(dǎo)電極材料結(jié)構(gòu)的相變存儲器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711184979.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107819070B 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN107819070B 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L45/00;H01L27/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王本艷;景蔚亮;陳邦明 申請（專利權(quán)）人 上海新儲集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 上海新儲集成電路有限公司
地址 201500 上海市金山區(qū)亭衛(wèi)公路6505號2幢8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種1D1R超導(dǎo)電極材料結(jié)構(gòu)的相變存儲器的制備方法，采用超導(dǎo)材料鈮作為電極材料制備相變存儲器。本發(fā)明的技術(shù)方案，使得電極材料層、加熱電極層、第一電極以及第二電極均采用超導(dǎo)材料制備，使得相變存儲器的電極材料在臨界溫度時電極材料可以實(shí)現(xiàn)無損耗地傳輸電能，減小相變存儲器的工作電流，進(jìn)而有效降低相變材料的低阻態(tài)阻值，加大高低阻態(tài)的的差異，使相變材料在非晶態(tài)和晶態(tài)的變化更為顯著，提高了存儲效率。