一種三維存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910413491.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110211928B 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN110211928B 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L21/8242（2006.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11551（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11578（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 景蔚亮;張格毅;陳邦明 申請（專利權(quán)）人 上海新儲集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 俞滌炯
地址 201500上海市金山區(qū)亭衛(wèi)公路6505號2幢8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種三維存儲器的制備方法，涉及集成電路的存儲器制作技術(shù)領(lǐng)域，包含一襯底，于所述襯底上形成邏輯電路層，并于所述邏輯電路層上形成易失性存儲層，隨后于所述易失性存儲層上形成三維存儲層；所述易失性存儲層中包括多個第一存儲單元，所述第一存儲單元為eDRAM存儲單元；所述三維存儲層中包括多個第二存儲單元，所述第二存儲單元為3D NAND存儲單元；采用所述第一存儲單元作為所述第二存儲單元的緩存；每個所述第一存儲單元包括一讀晶體管、一寫晶體管以及一電容，采用2T1C結(jié)構(gòu)形成。本發(fā)明的有益效果：優(yōu)化了三維存儲器的制備方法，有效提高了三維存儲器的讀寫性能和使用壽命。