一種3D閃存芯片的制作方法及電子產(chǎn)品

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910310509.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110085593B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN110085593B 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11556（2017.01）I;H01L27/11568（2017.01）I;H01L27/11582（2017.01）I;G06F3/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 景蔚亮;郭繼鵬;陳邦明 申請（專利權）人 上海新儲集成電路有限公司
代理機構 北京權智天下知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 孫利
地址 518110 廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾街道桂花社區(qū)惠民一路32號廠房五501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體存儲器制造技術領域，尤其涉及一種3D閃存芯片的制作方法及電子產(chǎn)品，包括步驟S1、提供一3D閃存芯片，3D閃存芯片包括一襯底，于襯底上形成多個閃存串，且每個閃存串包括多個存儲單元；于每個閃存串中形成一電子溝道，并于電子溝道與存儲單元的存儲介質之間形成第一隧道氧化層或第二隧道氧化層；步驟S2、于一預設時間內，將采用第二隧道氧化層的存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)轉移備份至采用第一隧道氧化層的存儲單元或片外存儲單元中；步驟S3、于步驟S2之后，將數(shù)據(jù)重新加載至采用第二隧道氧化層的存儲單元中。上述技術方案：打破傳統(tǒng)3D閃存芯片制造工藝的壁壘，使3D閃存芯片既可以讓數(shù)據(jù)保持時間較長又不影響數(shù)據(jù)讀寫速度。