LED倒裝芯片的N電極連接結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310149876.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103247735A 公開（公告）日 2013-08-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN103247735A 申請(qǐng)公布日 2013-08-14
分類號(hào) H01L33/38(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王維昀;周愛(ài)新;毛明華;李永德;馬滌非;吳煊梁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞市福地電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 東莞市福地電子材料有限公司
地址 523082 廣東省東莞市南城宏圖路39號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明創(chuàng)造涉及LED倒裝芯片，具體涉及其N電極連接結(jié)構(gòu)。本發(fā)明創(chuàng)造的目的是讓LED倒裝芯片獲得較好的發(fā)光效果，芯片上N接觸層的電流分布均勻，且N接觸層制作和焊接方便，為此給出LED倒裝芯片的N電極連接結(jié)構(gòu)，芯片底面開有至少兩個(gè)沉坑穿過(guò)P型層和有源發(fā)光層通至N半導(dǎo)體層，其特征是：沉坑側(cè)壁和芯片底面設(shè)有絕緣層；芯片的N接觸層包括沉入部和連接部，沉入部進(jìn)入沉坑內(nèi)觸通N半導(dǎo)體層，連接部覆蓋在芯片底面的絕緣層的表面連起分別位于不同沉坑內(nèi)的各個(gè)沉入部。N接觸層是蒸鍍或?yàn)R射而成的。