一種基于純硬件器件過流保護(hù)的SiCMOSFET驅(qū)動電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111153240.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113839653A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113839653A 申請公布日 2021-12-24
分類號 H03K17/081（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張華;范斌濤;王婷;魏春燕;陳相吾;劉鋒;馬巖浩;王璞 申請（專利權(quán)）人 陜西省地方電力（集團(tuán)）有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖思誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 項磊
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)唐延路27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種基于純硬件器件過流保護(hù)的SiC MOSFET驅(qū)動電路，涉及保護(hù)電路領(lǐng)域，包括控制模塊、PWM輸出緩沖電路、驅(qū)動電路以及過流和短路保護(hù)電路，所述PWM輸出緩沖電路與過流和短路保護(hù)電路都與控制模塊連接，且PWM輸出緩沖電路與過流和短路保護(hù)電路的輸出都連接驅(qū)動電路的輸入，所述驅(qū)動電路與過流和短路保護(hù)電路都與SiC MOSFET連接，通過在SiC MOSFET的源極串接電阻檢測電流,將電流信號轉(zhuǎn)為電壓信號，使用LM211比較器與預(yù)定值進(jìn)行比較，將比較信號經(jīng)過光耦隔離輸出后，直接接入SiC MOSFET驅(qū)動芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驅(qū)動芯片側(cè)進(jìn)行保護(hù)，同時使用另一個光耦隔離輸出接入主控模塊的硬件保護(hù)中斷引腳，雙重保護(hù)。