一種基于砷化鎵襯底的鍺雪崩光電探測器的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110440484.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112951942A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN112951942A 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L31/107;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳思銘;劉會赟;饒志治 申請（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機構(gòu) 長沙市護航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410005 湖南省長沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明具體公開了一種基于砷化鎵襯底的鍺雪崩光電探測器的制作方法，所述方法包括以下步驟：S1、將半絕緣砷化鎵襯底送入MBE腔中去除表面氧化層；S2、在去除表面氧化層的半絕緣砷化鎵襯底上生長一層砷化鎵n型接觸層；S3、在砷化鎵n型接觸層上生長一層非摻雜砷化鎵雪崩倍增層；S4、在非摻雜砷化鎵雪崩倍增層上生長一層p型砷化鎵電子調(diào)節(jié)層；S5、在p型砷化鎵電子調(diào)節(jié)層上生長一層非摻雜鍺吸收層；S6、將步驟S5獲得的砷化鎵襯底通過真空傳輸輸送至用于鍺生長的MBE腔內(nèi)并在砷化鎵襯底上生長一層鍺p型接觸層，從而獲得基于砷化鎵襯底的鍺雪崩光電探測器。本發(fā)明通過將晶格匹配的鍺材料外延生長在砷化鎵襯底上，有效減少了器件的暗電流和制造成本。