一種基于InPOI襯底的InGaAs探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110440480.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112951940A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112951940A 申請(qǐng)公布日 2021-06-11
分類號(hào) H01L31/102;H01L31/0304;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳星佑;陳思銘;唐明初 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410005 湖南省長(zhǎng)沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于InPOI襯底的InGaAs探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法。所述的一種基于InPOI襯底的InGaAs探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的InPOI襯底、含鋁砷化物阻擋層和下接觸層、InGaAs吸收層及含鋁砷化物窗口層和上接觸層，所述InPOI襯底為從InP襯底上剝離下來(lái)后，轉(zhuǎn)移至CMOS兼容的SOI襯底上的InP單晶薄膜，所述含鋁砷化物阻擋層和下接觸層以及所述含鋁砷化物窗口層和上接觸層的材料均為含鋁砷化物，所述InGaAs吸收層的材料為InGaAs。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)在與CMOS工藝兼容的SOI襯底上制備InP基InGaAs短波紅外探測(cè)器，適合于低成本、大規(guī)模紅外焦平面陣列制備，具有廣泛的應(yīng)用前景。