一種基于硅基量子點(diǎn)光子器件單片集成的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010736420.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111883524A | 公開（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申請公布號 | CN111883524A | 申請公布日 | 2020-11-03 |
| 分類號 | H01L25/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖夢雅 | 申請（專利權(quán)）人 | 湖南匯思光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南匯思光電科技有限公司 |
| 地址 | 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)尖山路39號長沙中電軟件園有限公司總部大樓G0575室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明具體公開了一種基于硅基量子點(diǎn)光子器件單片集成的方法，所述方法利用高質(zhì)量硅上III?V族直接外延技術(shù)和量子點(diǎn)技術(shù)，通過將激光器與其它主動和被動光電器件在CMOS兼容的SOI襯底上進(jìn)行單片集成，充分發(fā)揮了硅基光子學(xué)的優(yōu)勢，從而獲得包括激光器、調(diào)制器、硅波導(dǎo)和探測器集成的硅基量子點(diǎn)光發(fā)射模塊，由于本發(fā)明中有源器件均使用同一種量子點(diǎn)外延異質(zhì)結(jié)，并采用MBE設(shè)備同時(shí)生長而成，因而避免了高成本的二次外延生長。本發(fā)明通過采用選擇性區(qū)域褪火與側(cè)面光柵刻蝕技術(shù)，既保證了器件的性能又不需要引入二次外延生長，從而大大降低了成本。?? |
