基于摻雜（Si）GeSn有源區(qū)的CMOS技術(shù)兼容硅基光源器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110482973.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113193089A 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113193089A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) H01L33/34（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈慧;唐明初;陳星佑;陳思銘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410005湖南省長(zhǎng)沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了基于摻雜（Si）GeSn有源區(qū)的CMOS技術(shù)兼容硅基光源器件及其制備方法。所述的基于摻雜（Si）GeSn有源區(qū)的CMOS技術(shù)兼容硅基光源器件包括Si襯底、n型緩沖層、n型下覆層、有源層、p型上覆層及SiN應(yīng)力膜和n型、p型金屬電極，所述有源層為摻雜的GeSn或SiGeSn有源層，所述摻雜的GeSn或SiGeSn有源層的摻雜類型為n型摻雜或p型摻雜，所述n型摻雜可為P（磷）摻雜或Sb（銻）摻雜，所述p型摻雜可為B（硼）摻雜。本發(fā)明能大幅提升器件發(fā)光效率，提升器件工作溫度，降低閾值電流或能耗。