一種PIN型InGaAsSb探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110704500.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113363341A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113363341A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳星佑;陳思銘;唐明初 申請（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機構(gòu) 長沙市護航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410005 湖南省長沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種一種PIN型InGaAsSb探測器及其制備方法，所述探測器包括自下而上依次設(shè)置的InP（001）襯底、n型InP緩沖層和下接觸層、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收層，以及p型InP帽層和上接觸層。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收層中的Sb組分含量為0.001～0.01，其厚度范圍為1500～3000nm，其摻雜濃度為1×1014～1×1016cm?3。本發(fā)明中的所述InGaAsSb探測器能夠有效改善材料結(jié)晶質(zhì)量，提升探測器的性能。