基于納米空洞的低穿透位錯密度硅基砷化鎵層生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011286959.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112397374A 公開（公告）日 2021-02-23
申請公布號 CN112397374A 申請公布日 2021-02-23
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳思銘;唐明初;廖夢雅 申請（專利權）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機構 長沙市護航專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)尖山路39號長沙中電軟件園有限公司總部大樓G0575室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明具體公開了一種基于納米空洞的低穿透位錯密度硅基砷化鎵層生長方法，所述方法包括以下步驟：S1、將硅襯底送入MBE腔中去除其表面氧化層；S2、在去除表面氧化層的硅襯底上生長一層第一外延層并退火；S3、通過步驟S2的退火后進行砷化銦納米點生長；S4、通過步驟S3的砷化銦納米點生長后再生長一層第二外延層并再次退火；S5、通過步驟S4的再次退火后并生長一層砷化鎵緩沖層，從而獲得基于納米空洞的低穿透位錯密度硅基砷化鎵襯底。本發(fā)明通過采用納米尺寸的空洞極大降低了硅襯底上穿透型位錯密度，能夠有效避免硅襯底在后續(xù)砷化鎵生長中因使用過多層數(shù)超晶格位錯過濾層而導致的微裂縫問題，從而提高了硅基砷化鎵襯底上器件的性能。??