一種基于GaAsOI襯底的InAs量子點激光器結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110463249.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113178771A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113178771A 申請公布日 2021-07-27
分類號 H01S5/02;H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳星佑;陳思銘;唐明初 申請（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機構(gòu) 長沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 莫曉齊
地址 410005 湖南省長沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于GaAsOI襯底的InAs量子點激光器結(jié)構(gòu)及制備方法。所述的一種基于GaAsOI襯底的InAs量子點激光器結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的GaAsOI襯底、GaAs緩沖層和下接觸層、AlGaAs下阻擋層、InAs量子點有源區(qū)、AlGaAs上阻擋層及GaAs上接觸層，所述GaAsOI襯底為從GaAs襯底上剝離并轉(zhuǎn)移至CMOS兼容的SOI襯底上，并經(jīng)處理后得到的GaAs單晶薄膜。本發(fā)明可以實現(xiàn)在與CMOS工藝兼容的SOI襯底上制備InAs量子點激光器，適合于硅基光電集成缺少核心光源的研制，具有廣泛的應(yīng)用前景。