一種基于CMOS技術(shù)兼容硅襯底的III-V族化合物材料生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010415449.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111540671A | 公開（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111540671A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-14 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 廖夢(mèng)雅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南匯思光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南匯思光電科技有限公司 |
| 地址 | 410205湖南省長(zhǎng)沙市高新開發(fā)區(qū)尖山路39號(hào)長(zhǎng)沙中電軟件園有限公司總部大樓G0575室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明具體公開了一種基于CMOS技術(shù)兼容硅襯底的III?V族化合物材料生長(zhǎng)方法，所述方法包括以下步驟：S1、將無切角硅襯底送入MBE腔內(nèi)以去除無切角硅襯底表面的氧化層；S2、在去除表面氧化層的無切角硅襯底上生長(zhǎng)一層硅外延層并進(jìn)行MBE腔內(nèi)退火；S3、在經(jīng)過退火后的無切角硅襯底上進(jìn)行III?V族化合物材料生長(zhǎng)以形成III?V族化合物緩沖層。本發(fā)明利用MBE設(shè)備在無切角硅襯底上生長(zhǎng)了一層硅外延層，然后結(jié)合生長(zhǎng)在硅外延層上的III?V族化合物緩沖層將反向疇終結(jié)在III?V族化合物緩沖層中，從而有效避免了反向疇出現(xiàn)在硅基光源的有源區(qū)中，解決了III?V族化合物在外延生長(zhǎng)到非極性的硅襯底時(shí)所產(chǎn)生大量反向疇的問題。?? |
