一種安全可控的太陽能硅片RIE制絨工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811230915.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109449250A 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN109449250A 申請公布日 2019-03-08
分類號 H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0236（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆路; 上官泉元; 崔小帥; 陸鵬飛 申請（專利權(quán)）人 常州比太黑硅科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常州比太黑硅科技有限公司
地址 213164 江蘇省常州市武進高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種安全可控的太陽能硅片RIE制絨工藝，將硅片置于工藝反應(yīng)腔體內(nèi)，通過外圍廠務(wù)供氣系統(tǒng)對工藝反應(yīng)腔體進行長距離供應(yīng)O2和SF6，并同時通過SiCL4源瓶通過短距離管道對工藝反應(yīng)腔體供應(yīng)SiCL4；SiCL4、O2和SF6在工藝反應(yīng)腔體內(nèi)通過等離子體輝光放電電離后形成等離子體與硅片表面進行物理化學(xué)反應(yīng)形成倒金字塔結(jié)構(gòu)的坑洞；尾氣通過尾排系統(tǒng)排出工藝反應(yīng)腔體。該發(fā)明使用SiCL4替代CL2，可以將源瓶放置設(shè)備邊上，安全性好控，實用簡潔方便，工藝效果能夠達到要求；使用SiCL4比CL2成本降低10%左右。