一種安全可控的太陽能硅片RIE制絨工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811230915.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109449250A 公開（公告）日 2019-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN109449250A 申請(qǐng)公布日 2019-03-08
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0236（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 閆路; 上官泉元; 崔小帥; 陸鵬飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州比太黑硅科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集智東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常州比太黑硅科技有限公司
地址 213164 江蘇省常州市武進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種安全可控的太陽能硅片RIE制絨工藝，將硅片置于工藝反應(yīng)腔體內(nèi)，通過外圍廠務(wù)供氣系統(tǒng)對(duì)工藝反應(yīng)腔體進(jìn)行長距離供應(yīng)O2和SF6，并同時(shí)通過SiCL4源瓶通過短距離管道對(duì)工藝反應(yīng)腔體供應(yīng)SiCL4；SiCL4、O2和SF6在工藝反應(yīng)腔體內(nèi)通過等離子體輝光放電電離后形成等離子體與硅片表面進(jìn)行物理化學(xué)反應(yīng)形成倒金字塔結(jié)構(gòu)的坑洞；尾氣通過尾排系統(tǒng)排出工藝反應(yīng)腔體。該發(fā)明使用SiCL4替代CL2，可以將源瓶放置設(shè)備邊上，安全性好控，實(shí)用簡潔方便，工藝效果能夠達(dá)到要求；使用SiCL4比CL2成本降低10%左右。