一種真空腔室腔內(nèi)升降機構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820668761.8 申請日 -
公開（公告）號 CN208250461U 公開（公告）日 2018-12-18
申請公布號 CN208250461U 申請公布日 2018-12-18
分類號 C30B33/12（2006.01）I; H01J37/32（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱海劍; 莊正軍; 丁建寧; 袁寧一; 上官泉元 申請（專利權(quán)）人 常州比太黑硅科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常州比太黑硅科技有限公司
地址 213164 江蘇省常州市武進高新區(qū)鳳翔路７號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種真空腔室腔內(nèi)升降機構(gòu)，其對稱安裝于真空腔室的底部四個角，并通過密封套、O型圈一、Y型密封圈、O型圈二、升降軸和真空腔室共同形成一個良好的密封環(huán)境，使外部氣體無法進入真空腔室，氣缸在驅(qū)動氣體的推動下實現(xiàn)上下動作，從而帶動升降軸和頂板托著載板進行升降動作，在有腐蝕氣體的環(huán)境下不但能長期保證良好的動密封效果，而且各升降機構(gòu)之間能保證良好的同步性。