具有高速低壓操作的高可靠分裂柵非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010235059.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102339833B 公開（公告）日 2013-04-24
申請公布號 CN102339833B 申請公布日 2013-04-24
分類號 H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 霍宗亮;劉明 申請（專利權(quán)）人 寧夏儲芯科技有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 代理人 周國城
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有高速低壓操作的高可靠分裂柵非揮發(fā)性存儲器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括選擇晶體管和存儲器晶體管，且該選擇晶體管和該存儲器晶體管共用襯底區(qū)域和源漏摻雜區(qū)，同時存儲器晶體管具有堆棧結(jié)構(gòu)，信息存儲在柵極區(qū)域下面的電荷存儲層中。本發(fā)明采用應(yīng)力硅/鍺硅的雙層或者多層襯底，綜合利用了應(yīng)力硅溝道所帶來的一次碰撞電離的高碰撞電離率和SixGe1-x層的引入所帶來的高碰撞電離率以及由此產(chǎn)生的電子橫向的較寬分布，將有力提高分裂柵結(jié)構(gòu)的編程效率，降低編程電壓，提高器件的數(shù)據(jù)保持特性，利于器件的高可靠運作。本發(fā)明的電荷俘獲型分裂柵存儲器制備工藝與傳統(tǒng)的硅平面CMOS工藝兼容，利于廣泛應(yīng)用。