具有高速低壓操作的高可靠分裂柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010235059.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN102339833B | 公開(kāi)（公告）日 | 2013-04-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102339833B | 申請(qǐng)公布日 | 2013-04-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 霍宗亮;劉明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 周?chē)?guó)城 |
| 地址 | 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高速低壓操作的高可靠分裂柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括選擇晶體管和存儲(chǔ)器晶體管，且該選擇晶體管和該存儲(chǔ)器晶體管共用襯底區(qū)域和源漏摻雜區(qū)，同時(shí)存儲(chǔ)器晶體管具有堆棧結(jié)構(gòu)，信息存儲(chǔ)在柵極區(qū)域下面的電荷存儲(chǔ)層中。本發(fā)明采用應(yīng)力硅/鍺硅的雙層或者多層襯底，綜合利用了應(yīng)力硅溝道所帶來(lái)的一次碰撞電離的高碰撞電離率和SixGe1-x層的引入所帶來(lái)的高碰撞電離率以及由此產(chǎn)生的電子橫向的較寬分布，將有力提高分裂柵結(jié)構(gòu)的編程效率，降低編程電壓，提高器件的數(shù)據(jù)保持特性，利于器件的高可靠運(yùn)作。本發(fā)明的電荷俘獲型分裂柵存儲(chǔ)器制備工藝與傳統(tǒng)的硅平面CMOS工藝兼容，利于廣泛應(yīng)用。 |
