一種無電容型動態(tài)隨機訪問存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010251514.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102376715B 公開（公告）日 2014-03-12
申請公布號 CN102376715B 申請公布日 2014-03-12
分類號 H01L27/108(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 霍宗亮;劉明 申請（專利權(quán)）人 寧夏儲芯科技有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學院微電子研究所;寧夏儲芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明公開了一種無電容型動態(tài)隨機訪問存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法。無電容動態(tài)隨機訪問存儲器結(jié)構(gòu)在滿足高碰撞電離率所要求的高漏壓的前提下，通過對源漏結(jié)區(qū)附近采用不同的柵介質(zhì)材料或者柵介質(zhì)厚度增大了該區(qū)域的柵介質(zhì)的電學厚度，從而有效降低了垂直方向的電場，同時通過在溝道中央?yún)^(qū)域的薄的氧化層或者采用高K材料，從而提高了柵控能力并抑制了短溝道效應(yīng)。該發(fā)明結(jié)構(gòu)能夠有效抑制柵介質(zhì)退化、提高存儲單元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例縮小，同時該無電容結(jié)構(gòu)完全避免了常規(guī)1T1C結(jié)構(gòu)中的電容結(jié)構(gòu)的復雜工藝。其采用的制造工藝與常規(guī)的邏輯工藝完全兼容，也有利于高密度三維的工藝集成。