一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件的編程方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110022638.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102610277B 公開（公告）日 2015-02-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN102610277B 申請(qǐng)公布日 2015-02-04
分類號(hào) G11C16/10(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 霍宗亮;姜丹丹;劉明;張滿紅;王琴;劉璟;李冬梅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件的編程方法，屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。所述存儲(chǔ)器件為堆棧柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件時(shí)，所述方法包括如下步驟：在編程時(shí)刻前，于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件的漏極和/或源極，施加預(yù)定脈沖寬度和電壓的負(fù)脈沖；于編程時(shí)刻，在柵極和漏極,或柵極和源極施加脈沖寬度相同的正向同步脈沖。本發(fā)明通過擴(kuò)大熱電子注入編程時(shí)電子注入?yún)^(qū)域的范圍，增加注入電子的數(shù)量，從而提高電子的注入效率，使得存儲(chǔ)窗口增大。同時(shí)，擴(kuò)大的注入范圍，可以有效降低電子窄范圍注入時(shí)對(duì)隧穿介質(zhì)層帶來的損壞，提高非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的可靠性，延長(zhǎng)電荷在存儲(chǔ)層中的保持時(shí)間以及增加存儲(chǔ)其編程/擦除的次數(shù)。