硅片打孔系統(tǒng)及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010226293.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102330089B 公開（公告）日 2013-07-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN102330089B 申請(qǐng)公布日 2013-07-17
分類號(hào) C23F1/08(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王磊;景玉鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 中國科學(xué)院微電子研究所;寧夏儲(chǔ)芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片打孔系統(tǒng)包括：提供氫氟酸的氫氟酸儲(chǔ)罐、提供臭氧的臭氧發(fā)生器、提供CO2的二氧化碳?xì)馄?，用于形成所述氫氟酸、所述臭氧及所述CO2的混合流體且使所述混合流體中的CO2達(dá)到超臨界態(tài)的控制裝置及用于對(duì)硅片打孔的反應(yīng)腔室；所述氫氟酸儲(chǔ)罐、所述CO2氣瓶及所述臭氧發(fā)生器的出口與所述控制裝置的入口連接，所述控制裝置的出口與所述反應(yīng)腔室的入口連接。本發(fā)明還公開了一種打孔方法包括：形成含超臨界態(tài)CO2、氫氟酸及臭氧的混合流體；及使用所述混合流體對(duì)硅片進(jìn)行打孔處理。根據(jù)本發(fā)明的硅片打孔系統(tǒng)及方法，在硅片打孔時(shí)，可降低對(duì)硅片的損傷。