硅片打孔系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010226293.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102330089B 公開（公告）日 2013-07-17
申請公布號 CN102330089B 申請公布日 2013-07-17
分類號 C23F1/08(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王磊;景玉鵬 申請（專利權）人 寧夏儲芯科技有限公司
代理機構 北京市德權律師事務所 代理人 中國科學院微電子研究所;寧夏儲芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片打孔系統(tǒng)包括：提供氫氟酸的氫氟酸儲罐、提供臭氧的臭氧發(fā)生器、提供CO2的二氧化碳氣瓶，用于形成所述氫氟酸、所述臭氧及所述CO2的混合流體且使所述混合流體中的CO2達到超臨界態(tài)的控制裝置及用于對硅片打孔的反應腔室；所述氫氟酸儲罐、所述CO2氣瓶及所述臭氧發(fā)生器的出口與所述控制裝置的入口連接，所述控制裝置的出口與所述反應腔室的入口連接。本發(fā)明還公開了一種打孔方法包括：形成含超臨界態(tài)CO2、氫氟酸及臭氧的混合流體；及使用所述混合流體對硅片進行打孔處理。根據本發(fā)明的硅片打孔系統(tǒng)及方法，在硅片打孔時，可降低對硅片的損傷。