一種同時制造碳化硅單晶及碳化硅多晶的裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210112784.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114395799A 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN114395799A 申請公布日 2022-04-26
分類號 C30B28/00（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭超;母鳳文 申請（專利權(quán)）人 北京青禾晶元半導體科技有限責任公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 王士強
地址 100083北京市海淀區(qū)花園北路25號小關(guān)（廠南區(qū)）4號樓1層146
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種同時制造碳化硅單晶及碳化硅多晶的裝置及方法，其屬于半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，同時制造碳化硅單晶及碳化硅多晶的裝置包括腔室、感應線圈、坩堝及晶桿組件；坩堝設于腔室內(nèi)，用于容置助溶劑；晶桿組件包括晶桿及連接于晶桿一端并位于坩堝內(nèi)的晶托，晶桿的另一端位于腔室外；坩堝為石墨坩堝，晶托連接籽晶，石墨坩堝的底部內(nèi)壁能生長碳化硅多晶，籽晶未連接晶托的表面能生長碳化硅單晶；或者坩堝的底部內(nèi)壁設有籽晶塊，晶托為石墨托，籽晶塊上能生長碳化硅單晶，石墨托未連接晶桿的表面能生長碳化硅多晶。本發(fā)明能夠在一次制造過程中，同時得到碳化硅單晶和碳化硅多晶，無需分次制造或采用兩個制造裝置制造，具有較高的效率和較低的成本。